Preamplificador de recepción RF 144Mhz

Vamos a montar un preamplificador de recepción de RF para los 144Mhz (Banda 2m), este diseño esta montado utilizando un transistor MOSFET de canal N, que es básicamente un amplificador y mezclador de señal de bajo ruido.

Esquema eléctrico del preamplificador de radiofrecuencia

Descripción

Para el diseños de este circuito se ha utilizado el BF981 por sus buenas características, como bajo ruido, ganancia y alta dinámica, mas abajo podrás encontrar como construir las bobina de este circuito.

Transistor BF981

Transistor MOSFET de canal N, fabricado en silicio de doble puerta.

Características técnicas

  • Disipación total del dispositivo (Pd): 0.225 W
  • Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V
  • Tensión compuerta-fuente (Vgs): 6 V
  • Corriente continua de drenaje (Id): 0.02 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
  • Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2.1 pF
  • Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 200 Ohm
  • Empaquetado / Estuche: SOT103

Construcción de las Bobinas del preamplificador de recepción RF 144Mhz

  • Bobina L-1: 6 espiras, hilo de 1m/m, con diámetro de7m/m, longitud 18m/m, toma en la 1ª espira del lado de masa.
  • Bobina L-2: 6 espiras, hilo de 1m/m, con diámetro de7m/m, longitud 1m/m, toma en la 2-3ª espira experimentar para adaptar impedancia. 

Lista de componentes

ResistenciasCondensadoresVarios
R1, R4 – 10ΩC1 – 10nFIC1 – 7808
R2, R3 – 10KC2, C3, C6, C7, C8 – 1nFT1 – BF981
 C4 – 100nFD1 – 1N4001
 C5 -470 uF / 16V (tantalo)L1, L2 – (ver construcción)
 CV1, CV2 -trimer 10-60pF 

Alimentación

  • V máx: simple 12 V DC
  • I  máx: 0.3A

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