Diodo Láser
El Diodo Láser (DL) o L.A.S.E.R (Amplificación de la Luz por Emisión Estimulada de Radiación), es un dispositivo semiconductor similar a un diodo led pero que bajo las condiciones adecuadas emite luz láser.
Este diodo esta formado por la unión P-N de dos capas de arseniuro de galio dopado, a esto se le aplica un recubrimiento altamente reflectante en un extremo de la unión y un recubrimiento reflectante parcial en el otro extremo.
Funcionamiento
Cuando un diodo convencional o LED se polariza directamente, los huecos de la zona P se mueven hacia la zona N y los electrones de la zona N hacia la zona P; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo.
Si los electrones y huecos están en la misma región, pueden recombinarse cayendo el electrón al hueco y emitiendo un fotón con la energía correspondiente a la banda prohibida.
Esta emisión espontánea se produce normalmente en los diodos semiconductores, pero sólo es visible en algunos de ellos (como los LEDs), que tienen una disposición constructiva especial con el propósito de evitar que la radiación sea reabsorbida por el material circundante.
Aplicación básica
La aplicación básica que se le ha dado a este diodo, es como fuente de alimentación lumínica para sistemas de telecomunicaciones vía fibra óptica.
Este diodo es capaz de proporcionar potencia óptica entre 0.005-25mW, suficiente para transmitir señales a varios kilómetros de distancia. Cubren un intervalo de longitud de onda entre 920 y 1650nm.
Sin embargo para utilizar como fuente lumínica, es necesario diseñar un sistema de control que mantenga el punto de operación del sistema fijo, debido a que un corrimiento de este punto puede.
Estructura y composición química
El funcionamiento del diodo láser lo determinan su composición química y su geometría. Todos los diodos son, en esencia, estructuras de varias capas, formadas por varios tipos diferentes de material semiconductor.
Los materiales son contaminados con impurezas por medio de químicos, para darles ya sea un exceso de electrones (Tipo N) o un exceso de vacantes de electrones (Tipo P).