El foto diodo


Variedad de foto diodo
Variedad de foto diodo

El foto diodo es un semiconductor del tipo PN, que presenta sensibilidad cuando se le expone a un fuente directa de luz visible o infrarroja.

Se podría considerar que un foto-diodo es la combinación de un diodo común y una foto-resistencia o LDR y de igual manera que el diodo común éste tiene su polarización.

Símbolo del foto-diodo
Símbolo del diodo

Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente al ser excitado por la luz.

Debido a su construcción, los foto-diodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir, si lo iluminamos con una fuente de luz externa, este generan una corriente muy pequeña.

¿como funciona el Foto diodo?

Esquema de funcionamiento del foto-diodo
Esquema de funcionamiento

Para un funcionamiento correcto, el diodo es polarizado inversamente permitiendo de esta manera el flujo de electrones o el flujo de la corriente en sentido inverso. Estos componentes tienen un lente que permite concentrar la luz que incide en ellos, por ello, cuando la luz que incide es de suficiente energía puede excitar un electrón generando movimiento y permitiendo la creación de huecos con carga positiva. Por lo tanto, entre mayor sea la intensidad de luz que incida en él mayor será la corriente que fluye.

Tipos de foto-diodos

PIN

Es un material intrínseco semiconductor de los más comunes ya que permite que la capa intrínseca se pueda modificar para optimizar la eficiencia cuántica y el margen de frecuencia.

Este diseño además de mejorar la respuesta del detector, ensancha la zona de depleción reduciendo la capacidad de juntura Cj, permitiendo así un aumento del ancho de banda a mismos niveles de sensibilidad respecto a un foto diodo de tipo PN.

Avalancha

Su estructura es similar al fotodiodo común, trabaja con tensiones inversas cercanas al umbral de daño del fotodiodo. De esta forma se aumenta la intensidad del campo eléctrico en la zona de depleción, promoviendo que los pares huecos‐electrón generados en la zona adquieran energías necesarias para generar nuevos portadores por efecto avalancha.

No es recomendable usarlo en proyectos en los cuales se emplean señales ya que introducen ruido al circuito.

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